ナノスケールSi半導体デバイスのコンポーネントレベルESDに関する研究

ナノスケールSi半導体デバイスのコンポーネントレベルESDに関する研究

ナノスケール Si ハンドウタイ デバイス ノ コンポーネント レベル ESD ニ カンスル ケンキュウ

鈴木輝夫 [著]

[つくば] : [鈴木輝夫], [2013]

図書等

巻号情報

No. 所在 請求記号 資料ID 資料タイプ 状況(返却予定日) コレクション 備考 予約・取り寄せ人数

1

DA06417-2012

10013008255

本学論文

詳細情報

刊年

2013

形態

viii, 100p ; 30cm

注記

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成25年3月25日授与 (甲第6417号)

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

鈴木, 輝夫 (スズキ, テルオ)

分類

CAL:DA06417