抵抗変化メモリの知的材料設計

抵抗変化メモリの知的材料設計

テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ

笠井秀明, 岸浩史著

吹田 : 大阪大学出版会, 2012.9

図書等

巻号情報

No. 所在 請求記号 資料ID 資料タイプ 状況(返却予定日) コレクション 備考 予約・取り寄せ人数

1

548.2-Ka72

10012017838

一般図書

詳細情報

刊年

2012

形態

iv, 74p ; 21cm

別書名

Computational materials design, case study II

Intelligent/directed materials design for resistance random access memory

CMD II

シリーズ名

大阪大学新世紀レクチャー [計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ; 2]

注記

参考文献あり

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

笠井, 秀明(1952-) (カサイ, ヒデアキ) [ Kasai, Hideaki ] [ Kasai, H. ]

岸, 浩史 (キシ, ヒロフミ)

ISBN

9784872592559

NCID

BB10165154