高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMOSFETのしきい値電圧経時変化

高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMOSFETのしきい値電圧経時変化

コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク オ モチイタ MOSFET ノ シキイチ デンアツ ケイジ ヘンカ

田村知大 [著]

[つくば] : [田村知大], [2011]

図書等

巻号情報

No. 所在 請求記号 資料ID 資料タイプ 状況(返却予定日) コレクション 備考 予約・取り寄せ人数

1

DA05637-2010

10011000392

本学論文

詳細情報

刊年

2011

形態

84枚 ; 31cm

注記

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成23年3月25日授与 (甲第5637号)

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

田村, 知大 (タムラ, チヒロ)

分類

CAL:DA05637