有機金属気相成長法により作製したInGaP/GaAs系Heterojunction Bipolar Transistorに関する研究

有機金属気相成長法により作製したInGaP/GaAs系Heterojunction Bipolar Transistorに関する研究

ユウキ キンゾク キソウ セイチョウホウ ニヨリ サクセイシタ InGaP GaAs ケイ Heterojunction Bipolar Transistor ニ カンスル ケンキュウ

山田永 [著]

[つくば] : [山田永], [2009]

図書等

巻号情報

No. 所在 請求記号 資料ID 資料タイプ 状況(返却予定日) コレクション 備考 予約・取り寄せ人数

1

DA04924-2008

10009007082

本学論文

詳細情報

刊年

2009

形態

122枚 : 挿図 ; 30cm

注記

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成21年3月25日授与 (甲第4924号)

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

山田, 永 (ヤマダ, ヒサシ)

分類

CAL:DA04924