次世代極薄高誘電率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

次世代極薄高誘電率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

ジセダイ ゴクハク コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマクチュウ ノ フジュンブツ ノ キョドウ ニ カンスル リロンテキ ケンキュウ

白石賢二研究代表

[つくば] : [白石賢二], 2006.5

図書等

巻号情報

No. 所在 請求記号 資料ID 資料タイプ 状況(返却予定日) コレクション 備考 予約・取り寄せ人数

1

549.8-Sh82

10006003750

本学

詳細情報

刊年

2006

形態

1冊 ; 30cm

シリーズ名

科学研究費補助金(基盤研究C)研究成果報告書 ; 平成16年度-17年度

注記

研究課題番号: 16560020

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn) ; 英語 (eng)

著者情報

白石, 賢二 (シライシ, ケンジ)

NCID

BA77659812

番号

KAKEN : 16560020