へリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法による酸化亜鉛系半導体薄膜の成長機構

へリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法による酸化亜鉛系半導体薄膜の成長機構

ヘリコンハ レイキ プラズマ スパッタ エピタキシーホウ ニヨル サンカ アエンケイ ハンドウタイ ハクマク ノ セイチョウ キコウ

小山享宏 [著]

[つくば] : [小山享宏], [2005]

図書等

巻号情報

No. 所在 請求記号 資料ID 資料タイプ 状況(返却予定日) コレクション 備考 予約・取り寄せ人数

1

DA03663-2004

10005009300

本学論文

詳細情報

刊年

2005

形態

iv, 91枚 : 挿図 ; 31cm

注記

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成17年3月25日授与 (甲第3663号)

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

小山, 享宏 (コヤマ, タカヒロ)

分類

CAL:DA03663