ナノ構造 (Ga, Ge) カルコゲナイド半導体の光物性

ナノ構造 (Ga, Ge) カルコゲナイド半導体の光物性

ナノ コウゾウ Ga Ge カルコゲナイド ハンドウタイ ノ ヒカリ ブッセイ

大成誠之助研究代表

[つくば] : [大成誠之助], 2005.3

図書等

巻号情報

No. 所在 請求記号 資料ID 資料タイプ 状況(返却予定日) コレクション 備考 予約・取り寄せ人数

1

428.8-O65

10005007202

本学

詳細情報

刊年

2005

形態

81, 36p, [28]枚 ; 30cm

シリーズ名

科学研究費補助金基盤研究(C)(2)研究成果報告書 ; 平成16年度

注記

課題番号: 14540292

研究代表者: 大成誠之助

親書誌の「(2)」は手書き

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

英語 (eng) ; 日本語 (jpn)

著者情報

大成, 誠之助(1943-) (オオナリ, セイノスケ)

NCID

BA73343522

番号

KAKEN : 14540292